Испытания ЭКБ и приборов

Перечень изделий электронной техники и электронной компонентной базы:

• микросхемы интегральные
  • силовые: частота до 2 МГц, ток до 10 А, напряжение до 100 В;
  • цифровые: частота до 800 МГц, разрядность до 64 бит;
  • аналоговые: разрядность до 24 бит, ток до 2А, напряжение до 75 В;
• полупроводниковые приборы:
  • СВЧ: частота до 5 ГГц, напряжение до 75 В, ток до 50 А, мощность до 1000 Вт;
  • силовые: напряжение до 450 В, ток до 100 А;
  • коммутационные: В – UПР ≥ 100, диапазон частот 10 кГц – 3 МГц, сопротивление контактов, мОм – RКОНТ ≤ 10, коммутируемый ток до 20 А;
• источники вторичного электропитания:
  • число каналов – 2, формируемые напряжения и токи до 100 В, 14 А;
• оптоэлектронные приборы:
  • оптопары, оптоэлектронные ИС: ток коммутации до 1А, напряжение коммутации до 100 В;
• резисторы : номинальное сопротивление от 0,1 Ом до 1000 МОм, номинальная мощность до 50 Вт, предельное напряжение до 100 В, рабочий ток до 5 А;
• дроссели и катушки индуктивности: сопротивление обмотки по постоянному току от 0,01 Ом до 10 кОм, индуктивность обмотки от 0,1 нГн до 1000 мГн, рабочий ток до 10 А, рабочее напряжение до 1000 В;
• конденсаторы: номинальная ёмкость от 0,1 пФ до 10000 мкФ, рабочее напряжение до 1000 В;
• предохранители, разрядники, фильтры: рабочее напряжение до 1000 В, номинальный ток до 20 А, полоса пропускания до 3 МГц;
• переключатели: коммутируемое напряжение до 1500 В, коммутируемый ток до 20 А, сопротивление изоляции от 100 Мом, контактное сопротивление от 0,01 мОм, рабочая частота до 3 МГц;
• соединители электрические, изделия электроустановочные и присоединительные: коммутируемое напряжение до 1000 В, коммутируемый ток до 20 А, сопротивление изоляции от 100 Мом, контактное сопротивление от 0,01 мОм;

Перечень предлагаемых услуг:

• анализ отказов\брака полупроводниковых приборов;
• измерение электрических параметров транзисторов в процессе разработки и серийного производства;
• анализ элементного состава поверхности с помощью микроанализатора;
• исследование и анализ электрических параметров транзисторов зарубежного и собственного производства в процессе перспективных исследований;