Основное направление деятельности:

Испытания ЭКБ и приборов

НИИЭТ
394033, г. Воронеж, ул. Старых Большевиков, д. 5

Основные объекты испытаний
Электронная компонентная база и материалы
Услуги
Испытания

Контроль и испытание продукции

Перечень изделий электронной техники и электронной компонентной базы:

  • микросхемы интегральные
    • силовые: частота до 2 МГц, ток до 10 А, напряжение до 100 В;
    • цифровые: частота до 800 МГц, разрядность до 64 бит;
    • аналоговые: разрядность до 24 бит, ток до 2А, напряжение до 75 В;
  • полупроводниковые приборы:
    • СВЧ: частота до 5 ГГц, напряжение до 75 В, ток до 50 А, мощность до 1000 Вт;
    • силовые: напряжение до 450 В, ток до 100 А;
    • коммутационные: В – UПР ≥ 100, диапазон частот 10 кГц – 3 МГц, сопротивление контактов, мОм – RКОНТ ≤ 10, коммутируемый ток до 20 А;
  • источники вторичного электропитания:
    • число каналов – 2, формируемые напряжения и токи до 100 В, 14 А;
  • оптоэлектронные приборы:
    • оптопары, оптоэлектронные ИС: ток коммутации до 1А, напряжение коммутации до 100 В;
  • резисторы : номинальное сопротивление от 0,1 Ом до 1000 МОм, номинальная мощность до 50 Вт, предельное напряжение до 100 В, рабочий ток до 5 А;
  • дроссели и катушки индуктивности: сопротивление обмотки по постоянному току от 0,01 Ом до 10 кОм, индуктивность обмотки от 0,1 нГн до 1000 мГн, рабочий ток до 10 А, рабочее напряжение до 1000 В;
  • конденсаторы: номинальная ёмкость от 0,1 пФ до 10000 мкФ, рабочее напряжение до 1000 В;
  • предохранители, разрядники, фильтры: рабочее напряжение до 1000 В, номинальный ток до 20 А, полоса пропускания до 3 МГц;
  • переключатели: коммутируемое напряжение до 1500 В, коммутируемый ток до 20 А, сопротивление изоляции от 100 Мом, контактное сопротивление от 0,01 мОм, рабочая частота до 3 МГц;
  • соединители электрические, изделия электроустановочные и присоединительные: коммутируемое напряжение до 1000 В, коммутируемый ток до 20 А, сопротивление изоляции от 100 Мом, контактное сопротивление от 0,01 мОм;

Перечень предлагаемых услуг:

  • анализ отказов\брака полупроводниковых приборов;
  • измерение электрических параметров транзисторов в процессе разработки и серийного производства;
  • анализ элементного состава поверхности с помощью микроанализатора;
  • исследование и анализ электрических параметров транзисторов зарубежного и собственного производства в процессе перспективных исследований;
Обратная связь

captcha

×
Воспользуйтесь быстрым поиском Испытательных центров
Используйте расширенный поиск по карте
Зарегестрируйтесь как Испытательный Центр или как Заказчик
Отслеживайте последние новости Испытательных Центров
Посмотрите последние новости партнёров