Испытательный центр

Лаборатория механических испытаний

• Испытания по определению критических частот.
• Испытание на отсутствие резонансных частот в заданном диапазоне частот.
• Испытание на виброустойчивость воздействием синусоидальной или случайной широкополосной вибрации.
• Испытание на виброустойчивость воздействием синусоидальной или случайной широкополосной вибрации (длительное и кратковременное).
• Испытание на ударную прочность при воздействии многократного механического удара.
• Испытание на ударную устойчивость при воздействии многократного механического удара.
• Испытание на воздействие механических ударов одиночного действия (испытание на воздействие одиночного удара).
• Испытание на воздействие линейного ускорения.
• Испытание на воздействие синусоидальной вибрации с повышенной амплитудой ускорения.
• Испытание аппаратуры на прочность при падении.
• Испытание на воздействие механических факторов в условиях транспортирования.

Лаборатория климатических испытаний

• Испытание на воздействие повышенной температуры среды при эксплуатации (рабочей).
• Испытание на воздействие повышенной температуры среды при транспортировании и хранении (предельной).
• Испытание на воздействие пониженной температуры среды при эксплуатации (рабочей).
• Испытание на воздействие пониженной температуры среды при транспортировании и хранении (предельной).
• Испытание на воздействие изменения температуры среды.
• Испытание на воздействие атмосферных конденсированных осадков (инея и росы).
• Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха (длительное и ускоренное).
• Испытание на воздействие повышенной влажности воздуха кратковременное.
• Испытание на воздействие атмосферного пониженного давления.
• Испытание на воздействие повышенного давления.
• Испытание на воздействие солнечного излучения.
• Испытание на воздействие динамической пыли (песка).
• Испытание на воздействие статической пыли (песка).
• Испытание на воздействие плесневых грибов.
• Испытание на воздействие соляного (морского) тумана.
• Испытание по определению точки росы.
• Испытание на воздействие атмосферных выпадаемых осадков (дождя).
• Испытание на каплезащищенность.
• Испытание на воздействие росы и внутреннего обледенения.
• Испытание на воздействие пониженной влажности.
• Испытание на герметичность.
• Испытание на надежность (безотказность и сохраняемость).
• Испытание на электротермотренировку.

Участок испытаний на воздействие плесневых грибов осуществляет испытания на

• воздействие плесневых грибов
  • радиоэлектронной аппаратуры,
  • электронной компонентной базы,
  • материалов военного двойного и народнохозяйственного назначения.
• стойкость к воздействию плесневых грибов,
• влияние на грибостойкость внешних загрязнений,
• влияние развития плесневых грибов на работоспособность изделий.

Лаборатория РФА и ДНК

• исследование на наличие (отсутствие) признаков контрафактного происхождения экб;
• проверка внешнего вида;
• анализ сопроводительной и технической документации;
• измерение габаритных, установочных и присоединительных размеров;
• проверка массы;
• проверка разборчивости и содержания маркировки;
• исследование скрытых дефектов;
• испытание на способность к пайке;
• испытания на теплостойкость при пайке;
• испытание проволочных выводов на изгиб;
• испытание прочности крепления кристалла на сдвиг;
• рентгеновская компьютерная томография;
• проверка герметичности изделий по обнаружению утечки газа масс-спектрометром;
• проверка герметичности изделий по обнаружению утечки воздуха или другого газа из внутренних полостей изделия при погружении их в жидкость с повышенной температурой;
• определение концентрации паров воды внутри корпуса микросхем;
• контроль свободно перемещающихся частиц внутри корпуса по уровню шума;
• анализ корпусов микросхем на акустическом микроскопе с целью определения наличия или отсутствия признаков перемаркировки.

Участок испытаний на электромагнитную совместимость

• Испытание на устойчивость к магнитному полю промышленной частоты.
• Испытание на устойчивость к импульсному магнитному полю.
• Испытание на устойчивость к затухающему колебательному магнитному полю.
• Испытание на устойчивость к электростатическим разрядам.
• Испытание на устойчивость к радиочастотному электромагнитному полю.
• Испытание на устойчивость к наносекундным импульсным помехам.
• Испытание на устойчивость к микросекундным импульсным помехам большой энергии.
• Испытание на устойчивость к кондуктивным помехам, наведенными радиочастотными электромагнитными полями.
• Испытание на устойчивость к провалам, кратковременным прерываниям и изменениям напряжения электропитания.
• Испытание на устойчивость к колебательным затухающим помехам.
• Испытание на устойчивость к кондуктивным помехам в полосе частот от 0 до 150кГц.
• Испытания на электромагнитную совместимость.
• Испытание на устойчивость к изменениям частоты питающего напряжения.
• Испытания на устойчивость к импульсным помехам в цепях питания, контрольных и сигнальных цепях.

Входной и параметрический контроль ЭКБ отечественного и иностранного производства, включая:

• интегральные микросхемы цифровые и аналоговые (включая ПЛИС, микропроцессоры, АЦП/ЦАП, ЗУ, СВЧ и т.п.);
• полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, светодиоды и т.п.);
• СВЧ изделия;
• пассивные электронные компоненты (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и т.п.);
• коммутационные изделия и соединители;
• электронные модули и сборки;
• а также электрические и электронные принадлежности, комплектующие изделия и другие компоненты.